32 bit + 85 C 記憶體 IC

記憶體 IC的類型

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結果: 181
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 安裝風格 封裝/外殼 存儲容量 接口類型
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1
: 108

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI DRAM LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit