GaN 半導體

結果: 680
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16 2,071庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Qorvo 氮化鎵場效應管 30W, DC - 6GHz, Flanged 77庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 50

Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1,856庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,300

Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 1,110庫存量
最少: 1
倍數: 1

STMicroelectronics AC/DC轉換器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V 1,469庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Texas Instruments 閘極驅動器 1,105庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Texas Instruments 閘極驅動器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ 1,997庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Texas Instruments 閘極驅動器 1,997庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 1,001
: 2,000

Texas Instruments 閘極驅動器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

Texas Instruments 閘極驅動器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

EPC 氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2,376庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

EPC 氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 1,000庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5 2,036庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5 2,182庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5 3,441庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2,970庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 650 V G5 2,123庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 650 V G5 959庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 650 V G5 2,537庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 650 V G5 2,657庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES 4,511庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES 4,825庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES 4,709庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES 1,735庫存量
1,800預期19/11/2026
最少: 1
倍數: 1
: 1,800

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES 1,093庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,800