GaN 半導體

結果: 680
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,345庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch 3,114庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000
onsemi 氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V, 75m, DPAK 2,440庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 250
: 250

onsemi 氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V, 75m, 8x8 2,463庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 246
: 250

onsemi 氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V,101m, 8x8 2,472庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 248
: 250

onsemi 氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V, 132m, 8x8 2,500庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 250
: 250

onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi AC/DC轉換器 ACTIVE CLAMP FLYBACK 2,322庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

onsemi NCP1568G04DBR2G
onsemi AC/DC轉換器 ACTIVE CLAMP FLYBACK 2,418庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Texas Instruments 閘極驅動器 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR 37庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

Texas Instruments 閘極驅動器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR 110庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

Texas Instruments 閘極驅動器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR 140庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 728庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 790庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 792庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100
: 3,000

STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 552庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor 350庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

STMicroelectronics 閘極驅動器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 699庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Texas Instruments 閘極驅動器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 1,800庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch 2,834庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000
onsemi 氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V, 132m, DPAK 2,490庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 249
: 250

EPC 閘極驅動器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 6,584庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 19,891庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 650 V G5 3,814庫存量
2,000預期14/12/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2,405庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Qorvo RF放大器 20W,17.3-21.2GHzPA-die