CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

電晶體的類型
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結果: 8
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
720庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
281庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
226庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
181庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
288庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
240在途量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel