QPD0007TR13

Qorvo
772-QPD0007TR13
QPD0007TR13

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 3.4-3.8GHz 15W 50V GaN Single Channel

ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
品牌: Qorvo
封裝: Reel
產品類型: GaN FETs
系列: QPD0007
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
技術: GaN
零件號別名: QPD0007
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所選屬性: 0

Product Overview

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合規守則
USHTS:
8541497080
ECCN:
5A991.b
原產地分類
原產國:
馬來西亞
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

QPD0007 GaN RF Transistors

Qorvo QPD0007 GaN RF Transistors are single-path discrete GaN on SiC high-electron-mobility transistors (HEMTs) in a DFN package. These Qorvo RF transistors are single-stage, unmatched transistors capable of delivering a P3dB output power of 20W at +48V operation. The QPD0007 transistors operate in the DC to 5GHz frequency range and offer 73% drain efficiency at 3.5GHz. Typical applications include WCDMA/LTE, macrocell base station, microcell base station, general-purpose, small cell, active antenna, and 5G massive MIMO.

供貨情況

庫存：
暫無庫存
工廠前置作業時間：
20 週 工廠預計生產時間。
此產品已報告長備貨期。
最少： 2500   多個： 2500
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
完整捲（訂購多個2500）
HK$110.64 HK$276,600.00

備用包裝

製造商 元件編號:
QPD0007SR
包裝:
Reel, Cut Tape
供貨情況:
庫存量
價格:
HK$189.22
最小值:
1

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