碳化矽MOSFET – Mouser 香港

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NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG025N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

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結果: 2

已用篩選:

Id - C連續漏極電流

Rds On - 漏-源電阻

Vgs - 閘極-源極電壓

Vgs th - 門源門限電壓

Qg - 閘極充電

Pd - 功率消耗

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選擇	圖像	零件編號	製造商	說明	規格書	供貨情況	定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。	數量	RoHS	ECAD模型	安裝風格	封裝/外殼	通道數	Vds - 漏-源擊穿電壓	Id - C連續漏極電流	Rds On - 漏-源電阻	Vgs - 閘極-源極電壓	Vgs th - 門源門限電壓	Qg - 閘極充電	最低工作溫度	最高工作溫度	Pd - 功率消耗	通道模式	公司名稱
	碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V NTBG025N065SC1 onsemi 1: HK$192.51 1,282庫存量	製造商元件編號 NTBG025N065SC1 Mouser 元件編號 863-NTBG025N065SC1	onsemi	碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 了解更多關於onsemi ntbg025n065sc1 mosfet	規格書	1,282庫存量	帶狀裁切 HK$192.51 HK$143.77 HK$124.29 HK$111.46 捲 HK$111.46	最少： 1 倍數： 1 : 800			SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	650 V	106 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 22 V	4.3 V	164 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	EliteSiC
	碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S NTBG023N065M3S onsemi 1: HK$100.53 568庫存量	製造商元件編號 NTBG023N065M3S Mouser 元件編號 863-NTBG023N065M3S	onsemi	碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S 了解更多關於onsemi ntbg023n065m3s mosfet	規格書	568庫存量	帶狀裁切 HK$100.53 HK$56.55 HK$55.16 HK$52.20 捲 HK$52.20	最少： 1 倍數： 1 : 800			SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	650 V	40 A	33 mOhms	- 10 V, + 22.6 V	4 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	263 W	Enhancement	EliteSiC

NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

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