CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
Texas Instruments MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2 1,877庫存量
帶狀裁切
HK$14.96
HK$7.13
HK$5.53
捲
HK$5.53
HK$4.75
最少: 1
倍數: 1
: 250
Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 19.9 mOhms 8 V 1.1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET 1,584庫存量
12,000預期2/11/2026
帶狀裁切
HK$5.67
HK$2.56
HK$2.25
HK$1.71
捲
HK$1.32
最少: 1
倍數: 1
: 3,000
Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 23.9 mOhms 8 V 550 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel