TGA2624-SM

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Mouser 編號：

772-TGA2624-SM

製造商編號：

TGA2624-SM

製造商：

Qorvo

說明：

RF放大器 9-10GHz 20W GaN PAE>40% SSG >34dB

規格書:

TGA2624-SM 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	RF放大器
付運限制：	Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:
操作頻率:	9 GHz to 10 GHz
工作電源電壓:	20 V to 32 V
運作供電電流:	365 mA
增益:	34 dB
類型:	Power Amplifiers
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	QFN-22
技術:	GaN SiC
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	TGA2624
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	Qorvo
開發套件:	TGA2624-SM EVB
輸入返回損耗:	9 dB
濕度敏感:	Yes
通道數:	1 Channel
Pd - 功率消耗 :	44 W
產品類型:	RF Amplifier
原廠包裝數量:	250
子類別:	Wireless & RF Integrated Circuits
零件號別名:	TGA2624 TGA2624-SMTR7
每件重量:	15.350 g

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規格書

TGA2624-SM 規格書 (PDF)

PCN

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合規守則

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: 3A001.b.2.b.2

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

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