GAN041-650WSBQ

Nexperia
771-GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Nexperia
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
Through Hole
SOT-429-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
GaN
品牌: Nexperia
配置: Single
下降時間: 10 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品類型: GaN FETs
上升時間: 10 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
零件號別名: 934661752127
每件重量: 123 mg
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所選屬性: 0

規格書

Application Notes

PCN

合規守則
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
菲律賓
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN) FET

Nexperia GAN041-650WSB Gallium Nitride (GaN) FET提供650V漏源電壓、47.2A漏極額定電流及41mΩ最大電阻。GAN041採用TO-247封裝，是一種採用高壓GaN HEMT H2技術及低壓矽MOSFET技術的常斷裝置。這些技術的組合提供卓越的可靠性及性能。Nexperia GAN041-650WSB GaN FET是工業及數據通信電源的無橋圖騰柱PFC、伺服電機驅動、硬開關及軟開關轉換器的理想選擇。

適合工業應用的GaN FET

Nexperia適合工業應用的GaN FET提供高效能的電力運用，並在電力轉換與控制領域展現卓越效能。對於某些應用場景，電力轉換效率與功率密度是市場採用的關鍵因素，典型範例包括高壓通訊及工業基礎建設領域。氮化鎵場效應晶體管能實現更小巧、更快速、更低溫、更輕量化的系統，同時降低整體系統成本。

庫存量: 172

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