結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 技術
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,728庫存量
帶狀裁切
HK$55.49
HK$36.33
HK$26.80
HK$23.84
HK$21.04
捲
HK$18.33
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL 238庫存量
HK$78.42
HK$43.24
HK$39.78
HK$39.46
最少: 1
倍數: 1
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT 240庫存量
HK$78.91
HK$44.55
HK$41.02
HK$39.70
最少: 1
倍數: 1
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4 239庫存量
HK$79.08
HK$43.48
HK$34.28
HK$32.88
最少: 1
倍數: 1
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL 250庫存量
HK$47.35
HK$24.74
HK$22.52
HK$20.22
最少: 1
倍數: 1
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT 250庫存量
HK$52.11
HK$27.37
HK$24.99
HK$22.69
最少: 1
倍數: 1
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3 240庫存量
HK$51.62
HK$27.13
HK$21.62
HK$20.14
最少: 1
倍數: 1
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,809庫存量
帶狀裁切
HK$67.98
HK$36.83
HK$33.78
HK$32.96
HK$30.25
捲
HK$26.88
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,290庫存量
帶狀裁切
HK$40.61
HK$23.84
HK$19.65
HK$16.77
HK$15.54
捲
HK$11.18
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 536庫存量
帶狀裁切
HK$41.76
HK$25.32
HK$20.80
HK$17.59
HK$13.81
捲
HK$11.84
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 35庫存量
帶狀裁切
HK$57.95
HK$34.61
HK$28.36
HK$25.56
HK$22.61
捲
HK$17.10
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN