似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

SBRT15U50SP5-13D

Name: Diodes Incorporated SBRT15U50SP5-13D
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBRT15U50SP5-13D
Price: 15.45 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

621-SBRT15U50SP5-13D

製造商編號：

SBRT15U50SP5-13D

製造商：

Diodes Incorporated

說明：

肖特基二極體及整流器 15A TrenchSBR 50Vrrm 15A 0.47V 0.5mA

規格書:

SBRT15U50SP5-13D 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Diodes Incorporated SBRT15U50SP5-13D的資訊

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Diodes Incorporated
產品類型:	肖特基二極體及整流器
RoHS:
REACH - SVHC:
產品:	Schottky Rectifiers
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerDI5-3
配置:	Single Dual Anode
技術:	Si
If - 順向電流:	15 A
Vrrm - 重複反向電壓:	50 V
Vf - 順向電壓:	410 mV
Ifsm - 順向浪湧電流:	290 A
Ir - 反向電流:	500 uA
最低工作溫度:	- 65 C
最高工作溫度:	+ 150 C
系列:	SBRT1
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Diodes Incorporated
產品類型:	Schottky Diodes & Rectifiers
原廠包裝數量:	5000
子類別:	Diodes & Rectifiers
公司名稱:	PowerDI
Vr - 反向電壓:	50 V
每件重量:	96 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SBRT15U50SP5-13D 規格書 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

合規守則

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

SBRT15U50SP5 Trench Super Barrier Rectifier

Diodes Inc. SBRT15U50SP5 trench super barrier rectifier is packaged in the compact thermally efficient POWERDI5 package and provides ultra-low forward voltage drop (V_F) and provides excellent low reverse leakage stability at high temperatures. It is ideal for use as a rectification, freewheeling, or polarity protection diode in applications such as DC/DC converters.

Schottky SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. Schottky SBR^® Super Barrier Rectifiers are Schottky rectifiers that utilize an MOS manufacturing process. This creates a superior two-terminal device that has a lower forward voltage (V_F) than comparable Schottky diodes. They possess the thermal stability and high-reliability characteristics of PN epitaxial diodes.