NVBG025N065SC1

onsemi
863-NVBG025N065SC1
NVBG025N065SC1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
106 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 8 ns
互導 - 最小值: 27 S
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 19 ns
系列: NVBG025N065SC1
原廠包裝數量: 800
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 32 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

合規守則
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
大韓民國
出貨時，國家可能會有所變更。

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVBG025N065SC1 features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

庫存量: 68

庫存：
68 可立即送貨
工廠前置作業時間：
20 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過68會受到最小訂單要求的限制。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$227.69 HK$227.69
HK$176.57 HK$1,765.70
HK$171.06 HK$17,106.00
HK$164.24 HK$82,120.00
完整捲（訂購多個800）
HK$140.07 HK$112,056.00

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