NVHL025N065SC1

onsemi
863-NVHL025N065SC1
NVHL025N065SC1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
19 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 9 ns
互導 - 最小值: 27 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 51 ns
系列: NVHL025N065SC1
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 34 ns
標準開啟延遲時間: 18 ns
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所選屬性: 0

規格書

PCN

合規守則
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
大韓民國
出貨時，國家可能會有所變更。

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVHL025N065SC1碳化矽 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi)  NVHL025N065SC1碳化矽 (SiC) MOSFET是EliteSiC 25mΩ 、650V MOSFET，可提供卓越的開關性能。與矽元件相比，安森美 (onsemi)  NVHL025N065SC1具有更高的可靠性和較低的導通電阻。MOSFET的緊湊晶片尺寸確保了低電容和閘極電荷。系統優勢包括效率高、工作頻率快、功率密度大、EMI小以及系統體積小。

庫存量: 448

庫存：
448 可立即送貨
工廠前置作業時間：
19 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$246.02 HK$246.02
HK$179.77 HK$1,797.70
HK$162.59 HK$19,510.80

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