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Vishay TrenchFET®第四代頂側雙重散熱MOSFET

Vishay TrenchFET®第四代頂側雙重散熱MOSFET採用頂側散熱，提供更多導熱位置，採用PowerPAK® SO-8DC封裝。TrenchFET雙重散熱MOSFET提供了25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V不同汲極-源極崩潰電壓的版本。這些N通道MOSFET的作業溫度介於-55°C至150°C。TrenchFET MOSFET可用於特定產品的應用，包括同步整流、DC/DC轉換、電源供應器、電池管理等等。

特點

  • TrenchFET®功率MOSFET
  • 採用頂側散熱，提供更多導熱位置
  • 100%通過Rg與UIS測試
  • 採用PowerPAK SO-8DC封裝

規格

  • 提供25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V的汲極-源極崩潰電壓選項
  • -55°C至150°C作業溫度範圍

應用

  • 同步整流
  • DC/DC轉換器
  • SiDR626DP、SiDR638DP、SiDR668DP、SiDR680DP和SiDR870ADP： 
    • 馬達驅動控制
    • 電池和負載開關
  • SiDR140DP、SiDR390DP、SiDR392DP和SiDR402DP
    • OR-ing
    • 負載切換
    • 高功率密度DC/DC
  • SiDR610DP：
    • 電源供應器
    • Class D放大器
  • SiDR622DP：
    • 初級側切換
    • H橋

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發佈日期: 2018-06-20 | 更新日期: 2022-03-10