Toshiba SSM6x N通道及P通道MOSFET

Toshiba SSM6x N通道及P通道MOSFET具有高速切換能力，可用作電源管理和類比開關。這些MOSFET針對不同的閘極至源極電壓範圍提供非常低的導通電阻（低至1.1 mΩ，最大115 mΩ）。SSM6x MOSFET採用小型封裝，相容表面黏著。這些MOSFET具有低汲極至源極導通電阻，可用作DC轉DC轉換器，驅動1.2V至4.5V的閘極電壓。Toshiba SSM6x MOSFET的汲極功耗較低（最高150 mW），在12V至100V輸入電壓範圍內作業時發熱最低。