在更高的切換頻率和更高的功率下,裝置需要具備更低的導通電阻,但這可以確保更快的切換速度,同時保持EMI雜訊量。Toshiba開發了最先進的晶圓製程來抑制切換雜訊,進一步改進產品設計。
藉由將最新的晶圓製程與低電阻封裝技術相結合,可以達到符合業界需求的低導通電阻。Toshiba在其MOSFET中使用銅連接器,提供極低的封裝電阻和電感。此低電阻有助於減少能量損失,同時將應用小型化。
藉由可潤濕側翼封裝,可實現更出色的自動光學檢測 (AOI),同時支援焊錫上吸。這些改善功能皆有助於確保晶片在各種極端可靠性條件下都能持續使用。
特點
- 低導通電阻
- VGS=10V時,RDS(ON)=0.74mΩ(最大值)(40V WARP-TO-220SM(W) 封裝的TKR74F04PB)
- VGS=10V時,RDS(ON)=3.3mΩ(最大值)(60V DPAK+封裝的TK90S06N1L)
- VGS=10V時,RDS(ON)=2.4mΩ(最大值)(100V WARP-TO-220SM(W) 封裝的TK160F10N1L)
- 適合汽車應用的40V、60V、100V P通道和N通道MOSFET,採用小型表面黏著封裝
- 符合AEC-Q101標準
- 提供SOP Advance (WF)、TSON Advance (WF) 和DSOP Advance (WF) 封裝選項,使用可潤濕側翼端子結構
應用
- 汽車設備
- 電源供應器(DC/DC轉換器)和LED大燈等(馬達驅動、開關穩壓器和負載開關)
方塊圖
發佈日期: 2020-07-14
| 更新日期: 2024-11-20
