這些MCU採用高速嵌入式記憶體,具有高達2MB的雙組快閃記憶體、1MB的RAM(含192KB的TCM RAM、864KB的使用者SRAM以及4KB的備份SRAM)。另外,這些裝置還擁有各種連接至APB匯流排、AHB匯流排、2x32位元多重AHB匯流排矩陣的增強型I/O和周邊裝置,以及支援內部和外部記憶體存取的多層AXI互連。
這些裝置設有三個ADC、兩個DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗RTC、一個高解析度計時器、12個一般用途16位元計時器、兩個用於馬達控制的PWM計時器、五個低功耗計時器和一個真隨機數產生器 (RNG)。這些裝置支援四個用於外部Σ-Δ調變器 (DFSDM) 的數位濾波器,並設有標準和進階通訊介面。
特點
- 核心
- 具有雙精度FPU和L1快取記憶體的32位元Arm® Cortex®-M7核心:16KB資料快取和16KB指令快取
- 支援從256位元嵌入式快閃記憶體一次存取一條快取記憶體線;頻率高達480MHz,MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 及DSP指令
- 記憶體
- 高達2MB快閃記憶體,支援邊讀邊寫功能
- 1MB的RAM:192KB的TCM RAM(含64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM,用於關鍵時間例程)、864KB的使用者SRAM,以及4KB備份域SRAM
- 雙模式Quad-SPI記憶體介面,執行頻率高達133MHz
- 具有高達32位元資料匯流排的靈活外部記憶體控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND快閃記憶體,同步模式下時脈頻率高達133MHz
- CRC計算單元
- 安全性
- ROP、PC-ROP、主動防竄改
- 一般用途輸入/輸出
- 最多168個具中斷功能的I/O埠
- 高速I/O,執行頻率高達133MHz
- 最多164個5V公差I/O
- 最多168個具中斷功能的I/O埠
- 重設與電源管理
- 3個獨立的電源區,可以獨立地進行時脈門控或關閉,最大化電源效率:
- D1:高效能,用於高頻寬周邊裝置
- D2:通訊周邊裝置與計時器
- D3:復位/時脈控制/電源管理
- 1.62V至3.6V應用電源和I/O
- POR、PDR、PVD和BOR
- 專用USB電源,內建3.3V內部穩壓器,可為內部PHY供電
- 具有可配置可擴充輸出的內嵌穩壓器 (LDO),可為數位電路供電
- 在執行和停止模式下進行電壓調整(5個可設定範圍)
- 備用穩壓器 (~0.9V)
- 類比周邊裝置的電壓參考/VREF+
- 低功耗模式:睡眠、停止、待機,以及支援電池充電的VBAT
- 3個獨立的電源區,可以獨立地進行時脈門控或關閉,最大化電源效率:
- 低功耗
- 總電流消耗低至4μA
- 時脈管理
- 內部振盪器:64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI
- 外部振盪器:4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE
- 3個帶分數模式的PLL(1個用於系統時脈,2個用於核心時脈)
資訊圖
影片
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發佈日期: 2017-12-04
| 更新日期: 2025-03-19

