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STMicroelectronics
適用於SMPS的功率MOSFET與IGBT - STM
適用於SMPS的STMicroelectronics功率MOSFET與IGBT STMicroelectronics提供有關SMPS的最新技術。ST的產品目標同時涵蓋高階SMPS應用及重視價格的SMPS設計，提供多種MOSFET與IGBT產品組合以符合客戶所有的設計需求。ST的產品組合包括適用於PFC與PWM級的高電壓超接面MOSFET與溝槽式閘極電場截止IGBT，以及適用於同步整流的低電壓溝槽式MOSFET。ST最新的1200V SiC MOSFET結合業界最高的200°C額定接面溫度、極低的RDS(on) 區域(具備最小的溫度相對變化)，以及優異的切換效能，適用於更高效能及更小型的SMPS設計。適用於同步整流的低電壓STripFET F7系列具備極低的通態電阻及最佳Crss/Ciss電容比。探索ST適用於SMPS設計的完整MOSFET與IGBT產品。
STMicroelectronics MDmesh™ M5功率MOSFET
STMicroelectronics 550與650V MDmesh M5系列超接面功率MOSFET已針對高功率硬切換拓撲(PFC、升壓、TTF、返馳)進行最佳化。上述產品具備優異的RDS(on) 值，可大幅降低線路電壓PFC電路的損耗。因此可協助打造新世代電子產品，提供更高的節能效果、優異的功率密度，以及更小型且更有效率的設計(更小的外型)。此全新技術將協助產品設計師克服新的挑戰，例如新環保設計指令的高效能目標，並可藉由節省通常會在電源控制模組中損耗的重要電力，為可再生能源行業帶來好處。STMicroelectronics MDmesh M5 MOSFET採用矽基技術，結合創新的專有垂直技術製程以及STMicroelectronics的PowerMESH水平式佈局。相較於過去的MDmesh II技術，此技術最多可提升40%的RDS(on) ，並且在電源開關領域建立全新的里程碑。
產品特色 優異的RDS(on) 區域值 快速切換 高VDSS 額定值 高dV/dt能力 容易驅動 通過100%突崩測試
應用
SMPS (電腦、高效率配接器及電信) 照明(電子安定器、HID) 顯示器(電視、監視器) 太陽能轉換器
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STMicroelectronics MDmesh™ M2功率MOSFET
STMicroelectronics 600與650V MDmesh™ M2系列超接面功率MOSFET已針對軟切換應用(LLC諧振器電源供應)進行最佳化。這是藉由最佳化的閘極電荷(Qg)與固有電容(Ciss、Coss)而減少切換損耗而達成。上述產品亦適用於PFC應用，特別是在輕量負載的情況。MDmesh M2已藉由高dV/dt能力(50V/ns)而提升系統可靠性。650V裝置可確保更高的安全邊際，提供更強固可靠的應用。
產品特色 提升低負載效率 於LLC拓撲可達最佳效率 完全絕緣且低高度的封裝，並提升從引腳至散熱器板的漏電路徑 比過去世代產品更低的RDS(on) x 區域 通過100%突崩測試 低輸入電容及閘極電荷 提供齊納保護 低閘極輸入阻抗 應用
STMicroelectronics MDmesh™ DM2功率MOSFET
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列為ST最新快速回復二極體系列600V功率MOSFET，並已針對ZVS相移橋接拓撲進行最佳化。上述產品具備極低的回復電荷與時間(Qrr, trr)，並且較前代產品降低20%的RDS(on) 。高dV/dt耐受性(40V/ns)可確保提升系統可靠性。MDmesh DM2的效率已藉由改善固有二極體反向回復時間(Trr)而獲得提升。
產品特色 極低的閘極電荷與輸入電容 比前代產品更低的RDS(on) x 區域 低閘極輸入阻抗 通過100%突崩測試 提供齊納保護 極高的dv/dt與突崩能力
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STMicroelectronics MDmesh™ K5功率MOSFET
STMicroelectronics MDmesh K5系列 業界最低的RDS(on) ，可提供更高的效率及更小型的設計，以及更高的功率密度品質因數。額定電壓包括800V、950V及1050V。
產品特色
極高的dv/dt能力 通過100%突崩測試 業界最佳品質因數(FoM) 超低閘極電荷 提供齊納保護
應用
交換式低電源供應器(SMPS) DC-DC轉換器 低功率、低成本CFL 低功率電池充電器 切換應用 高電流、高速切換 照明 離線電源供應器、配接器及PFC
STMicroelectronics STripFET™ F7功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET™ H7功率MOSFET
STMicroelectronics SiC MOSFET
STMicroelectronics (SiC) MOSFET具有極低的額定1200V RDS(on) 區域，並結合優異的切換效能，因此可提供更有效率且更小型的系統。此系列產品已提高切換效率及操作頻率，並提供相較於標準矽技術最低的Eoff。由於具備固有內接二極體，因此可達到更小的外型尺寸。最高200ºC接面溫度，可提供更高的系統效率與可靠性。
產品特色 切換損耗與溫度的變化極低 極高的操作溫度能力(200°C) 非常快速且強固的固有內接二極體 低電容 容易驅動
應用 太陽能轉換器、UPS 馬達驅動器 高電壓DC-DC轉換器 交換式電源供應器
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STMicroelectronics IGBT V系列
STMicroelectronics 600V溝槽式閘極電場截止超高速IGBT V系列具備業界最低Eoff。結合低至1.8V的飽和電壓與175°C最大操作接面溫度，此系列產品可提升系統效率，達到更高的切換頻率(最高120kHz)，並可簡化散熱與EMI設計。產品特色 提高切換效率與操作頻率 業界矽基技術中最低的Eoff 藉由免除傳統的IGBT關斷電流拖尾以提高最大操作頻率 超薄的晶粒厚度有助於提升切換效能並促進散熱
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STMicroelectronics IGBT HB系列
STMicroelectronics 650V HB系列IGBT結合極低的飽和電壓(低至1.6V)與最小的集極電流關斷拖尾，以及最高175°C的操作溫度。如此可提升高頻率應用(最高100kHz)的效率，並充分運用先進的專利溝槽式閘極電場截止(TGFS)結構。
產品特色 已藉由低Vce(sat) 針對軟開關應用、低EMI及高效率進行最佳化 將切換與開機時的能源損耗降至最低 此技術已獲得良好的控制，可產生緊密的參數分配窗口、提升可重複性，並簡化系統設計
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STMicroelectronics IGBT H系列
STMicroelectronics IGBT H系列充分運用先進的專利溝槽式閘極電場截止(TGFS)結構。H系列1200V IGBT最多可降低15%關斷損耗及最多30%開機損耗。飽和電壓Vce(sat) 降低至2.1V (典型值，在額定集極電流與100°C時)可確保最低的整體損耗，在切換頻率高於20kHz時達到更高效率的運作。另外，上述新款1200V IGBT提高整合超快速回復反平行二極體的選項，可在硬切換電路中達到最佳效能，並在具備飛輪二極體的電路中將能源損耗降至最低。大幅提升的175°C最高操作接面溫度有助於提升使用壽命並簡化系統散熱。較廣的安全操作區域(SOA)可大幅提升需要高功率散熱之應用的可靠性。
產品特色 由於在切換事件中可達到接近理想的波形，因此可提供優異的EMI (電磁干擾)特性，與此產品競爭的高頻率裝置尚無法達到此理想波形 裝置之間具有Vce(sat) 的正溫度係數與緊密的參數散佈 VCE(sat) = 2.1V (典型值) @ IC = 40A 高速切換系列 最低的尾電流 TJ =150°C時可達5μs最小短路耐受時間 可安全並聯高功率應用 超快速回復反平行二極體 低熱阻 無鉛封裝
應用
發佈日期: 2019-04-09
| 更新日期: 2025-05-15
