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ROHM RASMID Series MOSFETs

ROHM N通道SiC功率MOSFET

ROHM N通道SiC功率MOSFET在切換時不會有尾電流，因此可提供更快速的運作並減少切換損耗。另外，低導通電阻與小尺寸晶片可確保低電容與閘極電荷。相較於導通電阻可能超過兩倍且溫度更高的標準矽元件，SiC具有最少的導通電阻增加，並可提供更進一步的封裝小型化及更好的節能效果。典型應用包括太陽能逆變器、DC/DC轉換器、交換式電源供應器、感應加熱，以及馬達驅動器。
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產品特色
  • 低導通電阻
  • 快速切換
  • 快速反向恢復
  • 容易並聯
  • 易於驅動
  • 無鉛電鍍符合RoHS標準
應用
  • 太陽能逆變器
  • DC/DC轉換器
  • 輔助電源供應器
  • 交換式電源供應器
  • 感應加熱
  • 馬達驅動器

即將推出！ROHM第三代溝槽式SiC MOSFET

相較於現有的平面式SiC MOSFET，ROHM第三代SiC MOSFET採用專屬溝槽式閘極結構，可降低50%的導通電阻及35%的電容。如此可帶來較低的切換損耗及較快的切換速度，提升運作的效率，同時在各種設備中降低功率損耗。

重要優點
  • 低導通電阻可提升逆變頻器功率密度
  • 支援高速切換
  • 極少的寄生二極體反向恢復行為
  • 小Qg與寄生電容
  • 消除因寄生二極體導通的劣化
  • 相容於高溫運作(Tjmax=175C)

 650V SiC TrenchMOS FET
 1200V SiC TrenchMOS FET
SCT3022AL: 22mOhm, 93A
 SCT3030KL: 30mOhm, 72A
SCT3030AL: 30mOhm, 70A
 SCT3040KL: 40mOhm, 55A
SCT3060AL: 60mOhm, 39A
 SCT3080KL: 80mOhm, 31A
SCT3120AL: 120mOhm, 21A
 SCT3160KL: 160mOhm, 17A

 

目前供應的ROHM N通道SiC MOSFET：

零件編號封裝/尺寸Vds - 汲極-源極崩潰電壓Id - 連續汲極電流Rds On - 汲極-源極電阻Qg - 閘極電荷Pd - 功率消耗資料表








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  • ROHM Semiconductor
發佈日期: 2014-07-18 | 更新日期: 2025-10-09