onsemi NTBG014N120M3P碳化矽 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NTBG014N120M3P碳化矽 (SiC) MOSFET屬於1200V M3P平面SiC MOSFET系列。安森美MOSFET針對功率應用進行了最佳化。平面技術在負閘極電壓驅動下工作可靠，並能關閉閘極上的尖峰。此系列在採用18V閘極驅動時具有最佳效能，同時還可充分利用15V閘極驅動。
特點
- 典型RDS(on) = 14mΩ
- 低開關損耗（74A電流、800V電壓時典型EON 1331J）
- 100%經電子雪崩檢測
應用
- 太陽能逆變器
- 電動車充電站
- 不斷電系統 (UPS)
- 能量儲存系統
- 開關模式電源 (SMPS)
影片
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發佈日期: 2022-11-10
| 更新日期: 2024-06-25