onsemi FFSP SiC蕭特基二極體
onsemi FFSP SiC蕭特基二極體的設計完全善用碳化矽勝過純矽 (Si) 裝置的優勢。FFSP SiC蕭特基二極體具有高順向突波能力、較低的反向漏電流，和零反向恢復電流。這些SiC蕭特基二極體還具有不受溫度影響的切換特性，以及出色的熱效能，得以全面提升系統效率、加快運作頻率、提高功率密度、減少EMI，同時縮小系統尺寸並降低成本。
onsemi FFSP SiC蕭特基二極體採用業界標準的TO-220-2L封裝。設計人員可利用這些裝置簡易替換矽競爭產品，系統僅需少量修改，便能立即提升效率，同時降低作業溫度。
特點
- SiC具有優異的切換效能、更高的可靠度
- 高突波電流能力
- 正溫度係數
- 零反向恢復
- 零順向恢復
- 最高接點溫度達175°C
- 易於並聯
- 採用業界標準的TO-220-2L封裝
應用
- 功率因數校正 (PFC)
- 工業電源
- 太陽能
- 電動汽車充電器
所有onsemi SiC蕭特基二極體
onsemi 碳化矽蕭特基二極體
零反向恢復電流、獨立於溫度的開關以及優異的散熱效能。
蕭特基二極體系列
onsemi FFSH SiC蕭特基二極體
採用業界標準TO-247封裝的碳化矽裝置。
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| 零件編號 | If - 順向電流 | Ifsm - 順向浪湧電流 | 規格書 |
|---|---|---|---|
| FFSP1265A | 12 A | 70 A |  |
| FFSP0865A | 8 A | 49 A | |
| FFSP1065A | 10 A | 56 A | |
| FFSP1665A | 16 A | 90 A | |
| FFSP08120A | 8 A | 68 A | |
| FFSP15120A | 15 A | 115 A | |
| FFSP2065A | 20 A | 105 A | |
| FFSP20120A | 20 A | 135 A | |
| FFSP3065A | 30 A | 150 A | |
| FFSP1065B | 10 A | 45 A | |
發佈日期: 2018-01-25
| 更新日期: 2022-10-18