特點
- 超低損耗
- 高頻作業
- 來自MOSFET的零關閉尾流
- 常斷、故障安全裝置作業
- 氮化鋁基板
- 可選的預塗熱介面材料
- 實現緊湊、輕巧的系統
- 可實現1500VDC系統的雙電平轉換
- 由於SiC的開關損耗和傳導損耗較低,因此可提高系統效率
- 降低熱要求和系統成本
- 提供第4代選項
應用
- DC快速充電器
- 能源儲存系統
- 高效率變流器/逆變器
- 可再生能源
- 智慧電網/並網分散式發電
- 太陽能逆變器
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| 零件編號 | 規格書 | 說明 |
|---|---|---|
| CAB5R0A23GM4 | ![]() |
離散半導體模組 SiC, Module, 5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial |
| CAB5R0A23GM4T | ![]() |
離散半導體模組 SiC, Module, 5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM |
| CAB6R0A23GM4 | ![]() |
離散半導體模組 SiC, Module, 6mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial |
| CAB6R0A23GM4T | ![]() |
離散半導體模組 SiC, Module, 6mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM |
| CAB7R5A23GM4T | ![]() |
離散半導體模組 SiC, Module, 7.5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM |
| CAB7R5A23GM4 | ![]() |
離散半導體模組 SiC, Module, 7.5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial |
發佈日期: 2024-08-29
| 更新日期: 2025-03-12


