Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4
Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4在命令/位址 (CA) 匯流排上提供單晶片封裝 (SDP) 或雙晶片封裝 (DDP) 以及2或4時脈架構。因此LPDDR4可運用CA匯流排上的2或4時脈架構來減少系統中的輸入腳位數。6位元CA匯流排包含命令、位址和Bank資訊。每個命令使用1、2或4時脈週期，在此期間命令資訊在時脈正緣傳輸。
單晶片封裝 (SDP) 提供16 Mb x 16 DQ x 8 Bank x 1通道，密度為2 Gb（2,147,483,648位元）。雙晶片封裝 (DDP) 提供16 Mb x 16 DQ x 8 Bank x 2通道，密度為4 Gb（4,294,967,296位元）。
特點
- VDD1 = 1.7V至1.95V
- VDD2/VDDQ = 1.06V至1.17V
- x16/x32的資料寬度
- 高達2133 MHz的時脈速率
- 資料傳輸速率高達4267 Mbps
- 內部8個Bank，可同時運作
- 16n預取作業
- LVSTL_11介面
- 叢發長度16、32、動態16或32
- 連續叢發類型
- 可設定驅動器強度
- 雙時脈邊緣的編碼命令輸入
- CA匯流排上的單資料傳輸速率架構
- DQ腳位上的雙資料傳輸速率架構
- 差分時脈輸入
- 雙向差分資料選通
- 輸入時脈停止和頻率變化
- 晶片內建終端 (ODT)
- 寫入均衡支援
- 可程式的讀寫延遲 (RL/WL)
- CA訓練支援
- DQ-DQS訓練
- 重整功能：
- 自動重整（每Bank/所有Bank）
- 部分陣列自我重整
- 自動溫度補償自我重整
- 後封裝修復
- 目標行重整模式
- 快速頻率切換的頻率設定點
- 支援寫入遮罩和資料匯流排反轉 (DBI)
- 支援邊界掃描進行連接測試
- WFBGA 200球 (10 mm x 14.5 mm2) 封裝
- 作業溫度範圍：-40°C ≤ TCASE ≤ 105°C
球指派
方塊圖
發佈日期: 2022-03-03
| 更新日期: 2026-01-15