Vishay / Siliconix TrenchFET第四代MOSFET
Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是下一代TrenchFET®系列功率MOSFET。TrenchFET第四代MOSFET在PowerPAK® SO-8及1212-8S封裝中提供工業低電阻與低柵極總電荷。這些TrenchFET第四代MOSFET具有極低的RDS(on)特性，轉化為更低的傳導損耗，從而降低功耗。TrenchFET MOSFET還配備了節省空間的PowerPAK® 1212-8封裝，具有類似的效率，但體積只有它的三分之一。典型應用包括大功率DC/DC變換器、同步整流、太陽能微型逆變器及電機驅動開關。
TrenchFET MOSFET可用於廣泛的功率MOSFET，有多種高級封裝可供選擇，如-200V至800V擊穿電壓及1.2V寬範圍柵極驅動電壓。這些MOSFET進行優化，具有用於負荷開關應用的最低Rds(on)，以及用於快速開關的最低柵極電荷與電容。此系列MOSFET可分為低壓與中壓TrenchFET。
低壓TrenchFET®具有效率高、功率密度大及節省空間封裝的特點。這些是消費電子產品、無人機、電腦及電訊裝置的理想選擇。
中壓TrenchFET®裝置小巧高效，可優化佈局，減少組件數量，並實現最高效率。這些是電源、電機驅動控制及可再生能源的理想選擇。
Vishay Siliconix SkyFET MOSFET也是Vishay Siliconix TrenchFET第四代功率MOSFET產品的一部分。
特點
- 下一代技術優化了幾個關鍵規格：
- DS(on)S=4.5V
- 在VGS=10V時低至超低0.001Ω的RDS(on)
- 極低的Qgd與Qgd/Qgs比：<0.5
- Qgd/Qgs比至0.3
- 改進型CdV/dt柵極耦合抗擾性
應用
- 同步整流
- 一次側開關
- DC/DC轉換器
- 電訊磚
- 電腦
- 伺服器
- 適配器與充電器開關
- 負荷開關
- 電機驅動器開關
- 工業
功率MOSFET資訊圖表
低功率MOSFET資訊圖表
中壓功率MOSFET資訊圖表
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