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Vishay SiC658A 50A VRPower®整合功率級

Vishay SiC658A 50A VRPower® 整合功率級具有高效率和卓越的散熱效能，非常適合大電流應用。Vishay SiC658A採用先進的MOSFET技術，可確保最佳功率轉換並減少切換損耗，從而提高伺服器和運算系統的可靠性。該模組採用熱強化的PowerPAK® MLP55-31L封裝，支援高達50A的連續電流，並以高達1.5MHz的頻率運作。

特點

  • TrenchFET技術
  • 整合了肖特基二極體的低側MOSFET
  • 零電流偵測控制，提升輕載效率
  • 低PWM傳播延遲
  • 熱監控器和故障標誌
  • 欠電壓鎖定保護
  • 過電流保護
  • 高側FET短路保護
  • 過熱保護

應用

  • 多相降壓裝置 (VRD)
    • CPU
    • GPU
    • 記憶體

規格

  • 高達1.5MHz的頻率運作
  • 支援3.3V電流感應邏輯，具備三態功能
  • 強化型PowerPAK MLP55-31L封裝
  • 連續電流額定值：50A
  • 峰值電流額定值：80A和100A
  • 輸入電壓範圍：4.5V至24V
  • 操作溫度範圍：-40°C至+125°C

腳位配置

資訊圖 - Vishay SiC658A 50A VRPower®整合功率級

典型應用圖

應用電路圖 - Vishay SiC658A 50A VRPower®整合功率級
發佈日期: 2025-05-06 | 更新日期: 2025-06-02