Toshiba U-MOSVIII-H低電壓高效MOSFET
Toshiba U-MOSVIII-H低電壓高效MOSFET專為筆記型電腦適配器、遊戲機、伺服器、桌上型電腦、平板顯示器等的AC-DC電源的次級側使用而設計，同時也用作通訊設備、伺服器及資料中心的DC-DC電源。這些均採用最新的Gen-8溝槽MOS流程製造，將有助於提高電源效率。其特點包括低漏源導通電阻、低洩漏電流及高雪崩耐受度。U-MOSVIII-H現在小封裝內含全新的汽車級MOSFET。
特點
- 低漏源導通電阻
- 低漏電流
- 增強模式：Vth = 2.0至4.0V
- 採用設計用於各種電源應用的第八代溝道MOS流程製造
- 同當前的第四代溝道MOS流程相比，在導通電阻 (Ron) 及輸入電容 (Ciss) 之間提供了更好的折衷方案
- 提供高雪崩耐受度
- 與以往產品相比，可以降低輻射雜訊
應用
- 轉換電壓穩壓器
- 馬達驅動器
- DC-DC轉換器
影片
對比圖表
發佈日期: 2013-01-02
| 更新日期: 2024-10-16