Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率級
Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率級具有整合式驅動和保護，較矽MOSFETs具有更大優勢。其中包括超低輸入和輸出電容。特點包括零反轉恢復，降低開關損失多達80%，及低開關節點響鈴以降低EMI。
LMG3410R070 GaN功率級利用全新方式幫助推出功率密度與效率層級更高的功率電子系統，可實現Totem Pole PFC之類的高密度與高效拓撲。本產品整合獨有的功能組合，能夠簡化設計、提供最高的可靠性，將任何電源供應器的效能最佳化。其提供了智慧化的替代方案，可取代傳統的疊接GaN和獨立式GaN FET。其獨有的功能組合包含整合式閘極驅動器，可執行100 V/ns切換，達到接近零的Vds振鈴，以及100 ns的電流限制，可自我保護，防止意外的擊穿事件。這些功能皆包含系統介面訊號，可提供自我監控功能。
特點
- TI GaN製程通過了應用內硬切換任務設定的可靠性加速測試
- 可實現高密度的功率轉換設計
- 系統效能優於疊接或獨立式GaN FET
- 低電感的8 mm x 8 mm QFN封裝，方便設計與佈局
- 可調整的驅動強度，用於切換效能與EMI控制
- 數位故障狀態輸出訊號
- 只需+12V未穩壓電源
- 整合式閘極驅動器
- 零共源電感
- 適合mHZ作業的20 ns傳播延遲
- 針對製程調整閘極偏壓，以提高可靠性
- 25至100 V/ns可由使用者調整的旋轉率
- 穩定可靠的保護功能
- 不需外部的保護元件
- 具備過電流保護
- 支援超過150 V/ns旋轉率的抗擾性
- 支援瞬態過電壓抗擾性
- 具備過熱保護
- 所有供電軌皆具備UVLO保護
應用
- 高密度的工業用與消費型電源供應器
- 多級轉換器
- 太陽能逆變器
- 工業馬達驅動器
- 不斷電系統
- 高電壓電池充電器
相關產品
Texas Instruments 氮化鎵 (GaN)
可透過端對端的電源轉換提供高效率、功率密度和可靠性等優點。
相關開發工具
Texas Instruments LMG3411EVM-029 Half-Bridge Daughter Card
Operates as a daughter card as part of a larger custom designed system or with the LMG34XX-BB-EVM.
方塊圖
發佈日期: 2018-09-28
| 更新日期: 2023-05-31