EPCOS / TDK 超薄型瞬態電壓抑制器二極管

EPCOS / TDK 超薄型瞬態電壓抑制器二極管為一條 I/O 線提供雙向靜電放電（ESD）保護。這些裝置具有低鉗位電壓、低漏電流和快速反應時間的特點。超低電容可為要求嚴格的高速接口（例如 USB 3.1、HDMI、Displayport 和 Thunderbolt）提供出色的訊號完整性。EPCOS / TDK 超薄型瞬態電壓抑制器二極管提供通用和超低鉗位型號，採用表面黏著裝置封裝，具有廣闊的 -40 °C 至 +125 °C 環境溫度範圍。這些瞬態電壓抑制器二極管非常適合智能手機、真無線耳機、智能手錶以及許多其他空間受限的可穿戴應用。

特點

B74121G0050M060（通用）
- WL-CSP0201 封裝
- 尺寸：0.6 mm x 0.3 mm x 0.15 mm
- +5 V 最大反向工作電壓（V_RWM）
- 6 V 至 8 V 擊穿電壓（V_BR）
- 2 nA 典型反向漏電流（I_LEAK）
- 7.2 V 鉗位電壓 I_TLP = 8 A（V_C1）
- 8.0 V 鉗位電壓 I_TLP = 16 A（V_C2）
- 45 A 最大 TLP 電流（I_TLP）
- 在 10 脈衝時最大 ESD 為 15 kV（V_ESD）
- 0.10 Ω 動態阻力
- 位於 1 MHz 處的結電容為 12 pF（C_J）
- 8 A 峰值功率電流（I_PP）
B74121G1160M160（通用）
- WL-CSP0201 封裝
- 尺寸：0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm
- 符合 IEC 61000-4-2 標準的高 ESD 保護，最高可達 15 kV
- 16 V 最大反向工作電壓（V_RWM）
- 17.5 V 至 21 V 擊穿電壓（V_BR）
- 極低漏電流：<1nA 典型反向漏電流（I_LEAK）
- 22.8 V 鉗位電壓 I_TLP = 8 A（V_C1）
- 25.4 V 鉗位電壓 I_TLP = 16 A（V_C2）
- 0.30 Ω 動態阻力
- 1 MHz、16 V 處的 5.5pF 低電容（典型值）
B74111G0050M060（通用）
- WL-CSP01005 封裝
- 尺寸：0.4 mm x 0.2 mm x 0.10 mm
- +5V 最大反向工作電壓（V_RWM）
- 6 V 至 8 V 擊穿電壓（V_BR）
- 2 nA 典型反向漏電流（I_LEAK）
- 7.6 V 鉗位電壓 I_TLP = 8 A（V_C1）
- 8.9 V 鉗位電壓 I_TLP = 16 A（V_C2）
- 25 A 最大 TLP 電流（I_TLP）
- 在 10 脈衝時的最大 ESD 為 15 kV（V_ESD）
- 0.17 Ω 動態阻力
- 位於 1MHz 處的結電容為 12 pF（C_J）
- 4 A 峰值功率電流（I_PP）

B74111U0033M060（超低鉗位）
- WL-CSP01005 封裝
- 尺寸：0.4 mm x 0.2 mm x 0.10 mm
- +3.3 V 最大反向工作電壓（V_RWM）
- 6.3 V 典型擊穿電壓（V_BR）
- 1 nA 典型反向漏電流（I_LEAK）
- 3.8 V 鉗位電壓 I_TLP = 8 A（V_C1）
- 5.0 V 鉗位電壓 I_TLP = 16 A（V_C2）
- 在 10 脈衝時的最大 ESD 為 15 kV（V_ESD）
- 0.15 Ω 動態阻力
- 位於 1 MHz 處的結電容為 0.48 pF（C_J）
- 7 A 峰值功率電流（I_PP）
B74121U0033M060（超低鉗位）
- WL-CSP0201 封裝
- 尺寸：0.6 mm x 0.3 mm x 0.15 mm
- +3.3 V 最大反向工作電壓（V_RWM）
- 6.3 V 典型擊穿電壓（V_BR）
- 1 nA 典型反向漏電流（I_LEAK）
- 3.8 V 鉗位電壓 I_TLP = 8 A（V_C1）
- 5.2 V 鉗位電壓 I_TLP = 16 A（V_C2）
- 在 10 脈衝時的最大 ESD 為 15 kV（V_ESD）
- 0.10 Ω 動態阻力
- 在 1 MHz（CJ）處的結電容為 0.65 pF
- 7 A 峰值功率電流（I_PP）
B74121G0160M060（通用）
- 高達 16 V 工作電壓
- ESD 保護符合 IEC 61000-4-2、VESD、max=10 kV
- V_{鉗位，典型值} = 24 V，ITLP = 8 A 低鉗位電壓
- I_{洩漏，典型值} = 1 nA，16 V 洩漏電流非常低
- C_典型 = 5 pF 在 1 MHz 低電容
B74121U0055M060/B74111U0055M060
- 高達 5.5 V 最大直流電壓
- USB-C™ 的 USB 2.0 數據總線（D+/D-）
- 3.8 V 和 4 V 具有 8 A 低鉗位電壓的 ITLP
- ESD 放電電壓高達 15 kV
- 0.48 pF 最大電容值
- WLCSP 01005 和 WLCSP 0201 小巧型封裝
- 100 µm 或 150 µm 非常平坦的高度