STMicroelectronics STPSC蕭特基碳化矽二極體
STMicroelectronics蕭特基碳化矽二極體運用SiC優於標準矽的優異物理特性,提供高出4倍的動態特性與減少15%的順向電壓 (VF)。ST的碳化矽二極體擁有低反向恢復特性,因此成為SMPS應用和其他新興領域的關鍵節能因素,而這些領域包括太陽能轉換、EV或HEV充電站,以及焊接設備和空調等應用。STMicroelectronics SiC產品組合在原有的4至12安培穿孔和SMD封裝產品選項中,加入了20A、600V二極體,採用不含鹵素的TO-247封裝。另外亦提供第二代6A、1200V裝置及650V系列。
精選產品
Ultrahigh performance power schottky diode manufactured using a silicon carbide substrate.
Ultra high-performance power Schottky diode.
High-performance rectifier that is specifically designed to be used in photovoltaic inverters.
Complete Your Design
可簡易替換的多樣化產品,適合廣泛使用的通用類比IC、獨立元件及序列EEPROM。
發佈日期: 2013-03-07
| 更新日期: 2026-01-19