STMicroelectronics MASTERGAN GaN半橋高壓驅動器

STMicroelectronics MASTERGAN半橋高電壓驅動器採用高功率密度電源，同時在半橋配置中整合了閘極驅動器和兩個增強模式GaN電晶體。整合式功率GaN具有150mΩ的R_DS(ON)和650V漏源擊穿電壓。內建閘極驅動器的高側可由整合式自舉二極體輕鬆提供。

STM MASTERGAN驅動器可在上下驅動部分均具有UVLO保護。該保護可防止電源開關在低效率或危險條件下運行，並且互鎖功能可避免交叉傳導情況。輸入引腳的擴展範圍可與微控制器、DSP裝置或霍爾效應感測器輕鬆連接。

MASTERGAN驅動器的工業溫度範圍為-40°至+125，並採用紧凑型9mm x 9mm QFN封装。

特點

整合半橋閘極驅動器和高壓GaN電晶體的系統級功率封裝：
- BV_DSS = 650V
- R_DS(ON) = 150mΩ
- I_{DS(最大值)} = 10A
反向電流能力
零反向恢復損耗
低側和高側的UVLO保護
內置靴帶式二極體
互鎖功能

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零件編號	電源電壓 - 最小值	電源電壓 - 最大值	輸出數	輸出電流
MASTERGAN1	4.75 V	9.5 V	1 Output	10 A
MASTERGAN2TR	3.3 V	15 V	1 Output	10 A
MASTERGAN3TR	4.75 V	9.5 V	4 Output	4 A, 6.5 A
MASTERGAN1LTR	4.75 V	9.5 V	4 Output	17 A
MASTERGAN4LTR	4.75 V	9.5 V	4 Output	12 A
MASTERGAN4	3.3 V	15 V	3 Output	6.5 A
MASTERGAN2	3.3 V	15 V	1 Output	10 A
MASTERGAN5	3.3 V	15 V	4 Output	4 A
MASTERGAN1L	4.75 V	9.5 V	4 Output	12 A
MASTERGAN1TR	4.75 V	9.5 V	1 Output	10 A

發佈日期: 2020-08-28 | 更新日期: 2025-12-09