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STMicroelectronics FERD場效整流器

STMicroelectronics場效整流器二極體 (FERD) 新版裝置著重於取捨升級，有助於改善設計。FERD的設計允許降低壓降，同時降低漏電流溫度係數。如此一來，除了改善失控時的安全邊際，甚至可能超過蕭特基障壁二極體的典型安全邊際。根據目標應用及其電壓而定，開發人員現在能在順向壓降 (VF) 和漏電流 (IR) 之間作出最好的取捨。零件編號中的「U」代表擁有極低的順向壓降 (VF)，「L」代表擁有低順向壓降 (VF)。「M」和「SM」分別代表中等的順向壓降，以及最佳化的漏電流 (IR)。「H」和「S」代表高溫下的低漏電流（低IR）。

針對特定封裝尺寸，STM的先進FERD技術甚至比蕭特基障壁裝置展現出更高的密度和更出色的效率。最新推出的60和100V裝置提供穿孔版本，以及PowerFLAT™、D²PAK和DPAK等版本。採用更小巧且經過最佳化的封裝，將有助於設計出體積更輕巧、功率耗損更低、散熱更少的充電器、變壓器和SMPS。

特點

  • Lower VF x IR than corresponding Schottky diodes
  • Smaller chip than Schottky for the same current rating
  • Advanced rectifier proprietary process
  • Lower thermal coefficient
  • Stable leakage current over reverse voltage
  • Low forward voltage drop
  • High frequency operation
  • ECOPACK2 components

應用

  • Industrial power
    • Factory automation
    • Tooling chargers
  • DC-DC converters
  • SMPS
  • USB chargers
  • Auxiliary power
    • Server and telecom power
    • Air-conditioning
    • Home appliances
    • UPS

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圖表 - STMicroelectronics FERD場效整流器

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可簡易替換的多樣化產品，適合廣泛使用的通用類比IC、獨立元件及序列EEPROM。

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發佈日期: 2014-05-16 | 更新日期: 2023-08-08