Alliance Memory AS25F序列式NOR快閃記憶體

Alliance Memory AS25F序列式NOR快閃記憶體結合了高達133 MHz的高速讀取效能,以及快速的編程和抹除速度。這些裝置採用8腳位SOP寬體 (209 mil) 和8L WSON (6.0 mm x 5.0 mm) 封裝,可在1.6V至3.6V單一電源供應、-40°C至+85°C工業溫度範圍下作業。這些解決方案支援單通道、雙通道和四通道SPI模式,並提供100,000次寫入/抹除次數和10年資料保留期,長期效能穩定可靠。

Alliance Memory AS25F序列式NOR快閃記憶體支援統一的4 KB或32 KB或64 KB抹除,提供8/16/32/64位元組環繞叢發讀取模式,並具備寫入/抹除暫停與恢復功能。進階安全功能包括區塊保護和4K位元安全OTP,可保護內容免遭惡意存取以及意外的編程和抹除。

AS25F快閃記憶體產品靠著強化的效能,是專為滿足電腦、消費性電子、通訊、IoT和行動市場的需求所設計。這些裝置很適合用於電腦、無線LAN和纜線數據機、印表機、數位機上盒、LCD顯示器、行動和穿戴式裝置、數位相機、手持式GPS裝置、智慧電錶等。

特點

  • SPI快閃記憶體
    • 64 Mbit (AS25F364MQ)
    • 128 Mbit (AS25F1128MQ)
  • 標準、雙通道或四通道SPI和QPI
    • 標準SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold
    • 雙通道SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold
    • 四通道SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
    • QPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
  • 高效能
    • 104 MHz時脈作業 (AS25F364MQ)
    • 133 MHz時脈作業 (AS25F1128MQ)
    • 與X16平行式快閃記憶體同級
  • 彈性架構
    • 統一磁區抹除(4K位元組)
    • 區塊抹除(32K和64K位元組)
    • 抹除/寫入暫停與恢復
    • 透過9V ACC腳位加速編程模式
  • 耐用度
    • 100K寫入/抹除次數
  • 低耗電量
    • 單一電源供應:1.65至1.95V
    • 有功電流:5 mA
    • 深度休眠:<3 μA
  • 進階安全功能
    • 軟硬體寫入保護、頂部、底部、磁區或區塊選擇
    • 鎖定和OTP保護
    • 可發現參數 (SFDP) 暫存器
  • 封裝特色
    • 寬廣的-40℃至+85℃作業範圍
    • SOP-8和WSON-8封裝選項
    • 無鉛、不含鹵素、符合RoHS標準

應用

  • 智慧型手機
  • 消費性裝置
  • 工業應用
  • 相機
  • 辦公室設備

腳位配置

機械製圖 - Alliance Memory AS25F序列式NOR快閃記憶體

封裝尺寸 (SOP-8)

機械製圖 - Alliance Memory AS25F序列式NOR快閃記憶體

封裝尺寸 (WSON-8)

機械製圖 - Alliance Memory AS25F序列式NOR快閃記憶體
發佈日期: 2022-10-27 | 更新日期: 2024-03-14