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ROHM Semiconductor碳化矽 (SiC) 功率裝置 | |||
  檢視產品清單其他資源  Application Note: SiC Power Devices and Modules ROHM Power Devices Handbook ROHM SiC Power Device Catalog ROHM Semiconductor碳化矽 (SiC) 功率裝置由矽 (Si) 和碳 (C) 組成。相較於矽功率裝置，SiC功率裝置具有十倍的介電崩潰場強度、三倍的能隙和三倍的導熱率。SiC功率裝置提供更低的切換損耗、更低的導通電阻和更高的操作溫度。這些功能可以降低功率損耗並縮小模組尺寸，還允許設計人員使用更少的元件，進一步降低設計複雜性。
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ROHM Semiconductor SiC功率模組ROHM Semiconductor SiC功率模組是將SiC MOSFET和SiC SBD整合到單一封裝中的半橋SiC模組。這些ROHM SiC模組透過降低切換損耗提供高頻率運作。 |  | ||
ROHM Semiconductor N通道SiC功率MOSFETROHM Semiconductor N通道SiC功率MOSFET在切換時不會有尾電流，因此可提供更快速的運作並減少切換損耗。另外，低導通電阻與小尺寸晶片可確保低電容與閘極電荷。 |  | ||
ROHM Semiconductor SiC蕭特基障壁二極體ROHM Semiconductor SiC蕭特基障壁二極體具有低總電容式電荷 (Qc)，可降低切換損耗，實現高速切換運作。此外，與trr隨溫度增加的矽基快速回復二極體不同，SiC裝置維持恆定特性，可提供更高效能。 |  | ||
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發佈日期: 2016-09-27
| 更新日期: 2025-02-20