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ROHM Semiconductor RS7功率MOSFET

ROHM Semiconductor RS7功率MOSFET專為馬達驅動器、開關應用和DC/DC轉換器的高效率效能而設計。這些ROHM Semiconductor RS7 MOSFET擁有低導通電阻、堅固的高功率DFN5060T8LSHAAE封裝和無鉛鍍層，符合RoHS指令且不含鹵素。每個元件都經過100% Rg和UIS測試，以確保卓越的可靠性和性能。            

特點

  • 低導通電阻
  • 高功率封裝 (DFN5060T8LSHAAE)
  • 無鉛電鍍；符合RoHS指令
  • 無鹵素
  • 100% Rg和UIS測試

應用

  • 開關
  • 馬達驅動器
  • DC/DC轉換器

規格

  • 汲極-源極電壓 (VDSS)
    • 30V (RS7E200BG)
    • 80V（RS7N200BH與RS7N160BH）
  • 最大汲極-源極導通阻抗 (RDS(on))
    • 0.67mΩ (RS7E200BG)
    • 2.0mΩ (RS7N200BH)
    • 2.6mΩ (RS7N160BH)
  • 功率耗散 (PD)
    • 160W (RS7N160BH)
    • 180W（RS7N200BH與RS7E200BG）
  • 連續汲極電流 (ID)
    • ±160A (RS7N160BH)
    • ±230A (RS7N200BH)
    • ±390A (RS7E200BG)

產品資料

封裝外形

機械製圖 - ROHM Semiconductor RS7功率MOSFET

內部電路

結構圖 - ROHM Semiconductor RS7功率MOSFET
發佈日期: 2025-01-09 | 更新日期: 2025-11-21