ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模組
ROHM Semiconductor高密度碳化矽 (SiC) 功率模組專為支援汽車和工業應用中的高效功率轉換而設計。該系列包括TRCDRIVE pack™、HSDIP20、DOT-247等多種封裝平臺，每種均針對不同的功率等級和系統需求進行了優化。這些封裝將SiC MOSFET集成至緊湊的模組結構中，能實現高功率密度、穩定開關性能和高效的熱管理。根據封裝類型的不同，提供有諸如2和1、4合1和6合1等配置，為各種功率轉換和馬達驅動應用提供了靈活性。
ROHM的產品組合當中，許多SiC模組都支援高達1200V的操作電壓並具有大電流能力。這些器件用在逆變器、轉換器、車載充電器、功率因數校正 (PFC) 電路等應用中。所設計的進階模組結構和基板，促進了在高功率環境中的有效散熱和可靠運作。這些模組可用於實現常見的功率轉換器架構，同時可在系統設計層面實現3級NPC、3級T-NPC和5級ANPC等多級拓撲。
透過將先進的SiC技術與優化的模組封裝相結合，ROHM的高密度SiC電源模組有助於減少電路板的空間和簡化系統的佈局。這些解決方案支援那些效率、可靠性和緊湊的設計至關重要的各種汽車和工業應用。
特點
- 1200V SiC功率模組平臺
- 為嚴苛的功率系統提供高電流能力
- 提供有DOT-247和HSDIP20封裝
- 緊湊、高密度的模組設計
- 2合1、4合1和6合1配置
- 支援PFC、LLC、逆變器和馬達驅動拓撲
- 為高功率作業提供優化的散熱效能
- 可減少電路板的空間和簡化系統的設計
- 適用於汽車和工業環境
應用
- 汽車車載充電器 (OBC)
- 電動車和混合動力車逆變器
- 汽車功率轉換系統
- 電動車充電站和V2X系統
- 工業馬達驅動器和AC伺服器
- PFC電路
- LLC諧振轉換器
- 光伏逆變器和功率調節器
- 不間斷電源供應器 (UPS)
- 半導體繼電器
特色模組
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules
Features 1200V rated voltage in 41.6mm × 52.5mm package and integrates 4th Generation SiC MOSFETs.
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| 零件編號 | 規格書 | Vds - 漏-源擊穿電壓 | Pd - 功率消耗 | Id - C連續漏極電流 | 通道數 | 上升時間 | 下降時間 | 標準斷開延遲時間 | 標準開啟延遲時間 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BST70B2P4K01-VC |  |
1.2 kV | 385 W | 70 A | 4 Channel | 36 ns | 15 ns | 153 ns | 36 ns |
| SCZ4011KTAC23 | |
1.2 kV | 361 W | 106 A | 2 Channel | 19 ns | 16 ns | 133 ns | 24 ns |
| BST400D12P4A101 | |
1.2 kV | 1.667 kW | 394 A | 2 Channel | 102 ns | 42 ns | 198 ns | 119 ns |
| BST91B1P4K01-VC | |
750 V | 385 W | 90 A | 4 Channel | 39.3 ns | 14.2 ns | 213.2 ns | 49.3 ns |
| BST91T1P4K01-VC | |
750 V | 385 W | 90 A | 6 Channel | 39.3 ns | 14.2 ns | 213.2 ns | 49.3 ns |
| BST47T1P4K01-VC | |
750 V | 227 W | 47 A | 6 Channel | 23 ns | 15 ns | 103 ns | 24 ns |
發佈日期: 2026-03-03
| 更新日期: 2026-04-10