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Renesas Electronics REXFET-1 100V與150V功率MOSFET

Renesas Electronics REXFET-1 100V與150V功率MOSFET採用分離式閘極技術，大幅降低導通電阻RDSON和優勢圖，是大電流應用的理想選擇。這些元件採用TOLL 、TOLG和 TOLT封裝，具有卓越的散熱性能和最大功率能力。此外，這些MOSFET採用可濕式側面封裝，具有出色的焊點性能。REXFET-1 MOSFET通過AEC-Q100認證，並支援汽車應用的PPAP。

特點

  • AEC-Q101認證產品和PPAP支援
  • 汽車和工業應用
  • 與D2PAK-7相比，空間縮減60%
  • 低RDSON以將傳導損耗降至最低
  • 高電流能力，TOLL/TOLG封裝
  • 標準閘極門檻電壓 (VGS(th) = 2V至4V)
  • 採用分閘極技術，具備出色的成本效益組合

應用

  • DC發動機驅動、BMS（充電/放電FET）和同步整流
  • 電動工具和園藝工具
  • 機器人與AGV/AMR
  • 叉車、高爾夫球車和電動機車
  • 48V汽車 - OBC/DCDC、區域控制、BMS、發動機控制、風扇、泵、電動座椅、天窗、EPS、EPB、電動壓縮機、開關、LED照明
  • 電動交通工具 - 適用於2輪和3輪、xEV、叉車、商用車輛的牽引變流器

規格

  • 低特定導通電阻 (Rsp) 的分裂閘極技術
  • 100V系列：
    • 1.5mΩ、2.9mΩ、3.7mΩ、6.7mΩ、11.1mΩ、21mΩ RDSON選項
    • 5x6 SO8-FL和3x3 µSO8-FL，配備銅夾接合和可濕潤側邊
    • TOLL配備可濕式側邊和TOLG有引線燕尾翼
  • 150V 系列：
    • 3.4mΩ、3.9mΩ RDSON選項
    • TOLL配備可濕式側邊，TOLT適用於頂部散熱

包裝

應用電路圖 - Renesas Electronics REXFET-1 100V與150V功率MOSFET

方塊圖

結構圖 - Renesas Electronics REXFET-1 100V與150V功率MOSFET
發佈日期: 2024-12-09 | 更新日期: 2026-02-05