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onsemi 單N通道功率MOSFET

安森美 (onsemi) 單N通道功率 MOSFET設計用於高效率的小尺寸緊湊型設計。這些功率MOSFET具備低RDS(ON) 、低QG及低電容，可最大程度降低傳導與驅動器損耗。這些MOSFET提供40V、60V及80V汲極至源極電壓，以及±20V閘極至源極電壓。安森美 (onsemi) 單N通道功率MOSFET無鉛且符合RoHS標準。

特點

  • 小尺寸 (5mm x 6mm)，設計緊湊
  • 低RDS(on)，可最大程度降低傳導損耗
  • 低QG 與低電容，可最大程度降低驅動器損耗
  • LFPAK4封裝，產業標準
  • 無鉛
  • 符合RoHS標準

規格

  • 汲極-源極崩潰電壓：40V、60V或80V
  • 連續汲極電流：14A至253A
  • 汲極-源極導通電阻：1.43mΩ至67mΩ
  • 閘極-源極閾值電壓：2V至4V
  • 功耗：23W至194W
  • 最高作業溫度：高達+175°C

簡化方塊圖

結構圖 - onsemi 單N通道功率MOSFET
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零件編號 規格書 說明 Vds - 漏-源擊穿電壓 Rds On - 漏-源電阻 Id - C連續漏極電流 Pd - 功率消耗
NTMFS4D7N04XMT1G NTMFS4D7N04XMT1G 規格書 MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 40 V 4.7 mOhms 66 A 38 W
NTTFSSCH0D7N02X NTTFSSCH0D7N02X 規格書 MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 25 V 580 uOhms 310 A 87 W
NTTFSSH1D3N04XL NTTFSSH1D3N04XL 規格書 MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 40 V 1.3 mOhms 207 A 107 W
NVMFWS1D3N04XMT1G NVMFWS1D3N04XMT1G 規格書 MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 40 V 1.3 mOhms 195 A 90 W
NVMFWS0D63N04XMT1G NVMFWS0D63N04XMT1G 規格書 MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 40 V 600 uOhms 384 A 157 W
NTTFS1D4N04XMTAG NTTFS1D4N04XMTAG 規格書 MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE 40 V 1.43 mOhms 178 A 83 W
NTTFS4D9N04XMTAG NTTFS4D9N04XMTAG 規格書 MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE 40 V 4.9 mOhms 65 A 38 W
NVMFWS004N04XMT1G NVMFWS004N04XMT1G 規格書 MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 40 V 4.7 mOhms 66 A 38 W
NVMFWS0D6N04XMT1G NVMFWS0D6N04XMT1G 規格書 MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE 40 V 570 uOhms 380 A 150 W
NVMFWS1D1N04XMT1G NVMFWS1D1N04XMT1G 規格書 MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 40 V 1.05 mOhms 233 A 104 W
發佈日期: 2023-12-20 | 更新日期: 2025-10-30