onsemi SiC E1B模組

Qorvo SiC E1B模組採用“串接”電路，將常開SiC JFET與矽MOSFET一起封裝，進而構成常閉SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類似矽材料的閘極驅動，支援與矽IGBT、矽FET、SiC MOSFET或矽超級接面裝置相容的單極閘極驅動。此裝置採用E1B模組封裝，具有超低閘電荷和出色的切換特性，因而非常適合用於硬切換和ZVS軟切換應用。此模組採用先進的銀燒結晶片附接技術，可實現出色的電力循環和熱效能。