onsemi 單閘N和P通道功率MOSFET

onsemi單閘N和P通道功率MOSFET具備小腳位的精巧設計，低R_DS(on)以將導電耗損減至最低；低Q_G及電容，將驅動耗損減至最低。onsemi單閘N和P通道功率MOSFET無鉛，適合需要符合AEC−Q101認證要求的工廠及變更控制的汽車及其他應用。