onsemi NVH4L060N065SC1碳化矽 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi) NVH4L060N065SC1碳化矽 (SiC) MOSFET提供與矽相比更優越的切換效能與更高的可靠性。安森美NVH4L060N065SC1具備低導通電阻,採用小尺寸晶片,可確保低電容與低閘極電荷。其對系統的效益包括高效率、快速作業頻率、高功率密度、減少EMI,同時縮小系統尺寸。

特點

  • 符合AEC-Q101汽車級標準
  • 650V額定電壓
  • 最大RDS(on) = 18mΩ(VGS = 18V、ID = 75A時)
  • 高速切換和低電容
  • 100%通過UIL測試
  • 裝置符合RoHS指令

應用

  • 汽車內建充電器
  • 適用於EV/HEV的汽車DC/DC轉換器
發佈日期: 2023-01-05 | 更新日期: 2024-06-18