onsemi NCD57090與NCV57090 IGBT/MOSFET閘極驅動器
安森美 (onsemi) NCD57090與NCV57090 IGBT/MOSFET閘極驅動器是一種用於IGBT和MOSFET的高電流單通道閘極驅動器，具有5kVrms內部電流隔離。NCD57090和NCV57090在高功率應用中提供高系統效率和可靠性。這些元件接受互補輸入，並根據引腳配置提供有源米勒鉗、負電源和獨立的高側和低側（OUTH和OUTL）驅動器輸出等選項，以方便系統設計。NCD57090和NCV57090適用於3.3V至20.0V的各種輸入偏壓和訊號電平。
安森美NCD57090與NCV57090 IGBT/MOSFET閘極驅動器採用緊湊的SOIC-8封裝。NCV57090符合AEC-Q100標準，並且適用於汽車應用的PPAP。
特點
- 符合AEC-Q100標準且具有PPAP能力（僅限NCV57090）
- 高+6.5A/-6.5A峰值輸出電流
- 低箝位壓降無需負電源即可防止虛假閘極導通（版本A、D、F）
- 傳播延遲時間短，具有精確匹配
- 短路期間IGBT/MOSFET閘極箝位
- IGBT/MOSFET閘極主動下拉
- 嚴格的UVLO閾值可實現偏置靈活性
- 寬偏壓範圍，包括負VEE2（版本B）
- 邏輯輸入：3V、5.0V及15.0V
- 電流隔離：5kVrms
- 高瞬態抗擾度
- 高電磁抗擾度
- 最高結溫：150 °C
- 作業溫度範圍：-40°C至+125°C
- SOIC-8封裝
- 無鉛、無鹵/BFR，且符合RoHS標準
應用
- 汽車應用（僅限NCV57090）
- 電機控制
- 不間斷電源(UPS)
- 工業電源
- 太陽能逆變器
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腳位名稱
結構圖
簡化型應用電路
封裝概覽
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發佈日期: 2021-03-12
| 更新日期: 2024-03-05