Nexperia eMode GaN FET
Nexperia eMode GaN FET提供100V至650V的適用電壓範圍和優異的切換效能。這些FET提供快速轉換和切換能力、出色的電源效率，還有低QC和QOSS值。
Nexperia低電壓 (<200V) eMode GaN FET能為電源系統提供最高的彈性。這些裝置具備極低的QC和QOSS值，可提供卓越的切換效能。可加快電動車和有線/無線充電系統的充電速度，大幅節省LiDAR的空間和BOM，同時降低Class D音訊放大器的雜訊。
Nexperia高電壓（200V至650V）eMode GaN FET能為電源系統提供最高的彈性，是低功率650V應用的理想選擇。這些裝置具備極低的QC和QOSS值，可提供卓越的切換效能，進而改善650V AC/DC和DC/AC電源轉換的效率。此外，還能為BLDC和微型伺服馬達驅動器或LED驅動器大幅節省空間和BOM。
特點
- 強化模式 - 常關式電源開關
- 超高頻切換能力
- 無內接二極體
- 低閘極電荷，低輸出電荷
- 符合標準應用的要求
- ESD保護
- 無鉛，符合RoHS指令與REACH標準
- 高效率、高功率密度
應用
- 高功率密度和高效率電源轉換
- AC轉DC轉換器
- 可加快電池充電、行動電話、筆記型電腦、平板電腦和USB Type-C™充電器的速度
- 資料通訊和電信通訊（AC-DC和DC-DC）轉換器
- 馬達驅動器
- Class D音訊放大器
其他資源
- Power GaN Technology: The need for efficient power conversion
- Nexperia launches e-mode GAN FETs for low and high voltage applications
- Gate drive circuit design for Nexperia 650 V Enhancement mode (e-mode) GaN FETs
- 650 V GaN FETs – from invention to industrialization
- Eliminating EMC By Replacing A MOSFET With A GaN Transistor
- Power GaN technology: the need for efficient power conversion
- Power Gallium Nitride (GaN) FETs Leaflet
- Power GaN: The need for efficient power conversion
- Broadening GaN FET applications with e-mode
- GaN shines a light on PV inverter efficiency
相關產品
Nexperia GaN FETs for Industrial Applications
Efficient power use and efficiencies in power conversion and control.
Nexperia GAN041-650WSB氮化鎵(GaN) FET
提供650V漏源電壓、47.2A漏極額定電流及41mΩ最大電阻。
Nexperia GAN063-650WSA 650V, 50mΩ Gallium Nitride FET
A normally-off device combining a high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies.
發佈日期: 2023-05-01
| 更新日期: 2023-08-28