Nexperia eMode GaN FET（氮化鎵場效應晶體管）
Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.
Nexperia低電壓 (<200V) eMode GaN FET能為電源系統提供最高的彈性。這些裝置具備極低的QC和QOSS值，可提供卓越的切換效能。可加快電動車和有線/無線充電系統的充電速度，大幅節省LiDAR的空間和BOM，同時降低Class D音訊放大器的雜訊。
特點
- 強化模式 - 常關式電源開關
- 超高頻切換能力
- 無內接二極體
- 低閘極電荷，低輸出電荷
- 符合標準應用的要求
- ESD保護
- 無鉛，符合RoHS指令與REACH標準
- 高效率、高功率密度
應用
- 高功率密度和高效率電源轉換
- AC轉DC轉換器
- 可加快電池充電、行動電話、筆記型電腦、平板電腦和USB Type-C™充電器的速度
- 資料通訊和電信通訊（AC-DC和DC-DC）轉換器
- 馬達驅動器
- Class D音訊放大器
影片
其他資源
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Nexperia GAN041-650WSB氮化鎵(GaN) FET
提供650V漏源電壓、47.2A漏極額定電流及41mΩ最大電阻。
Datasheet
發佈日期: 2023-05-01
| 更新日期: 2025-06-13