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Micron DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM是革新性和先導性技術，允許應用在時鐘訊號的上升和下降邊緣傳送資料。這可使帶寬翻倍，並改善SDR SDRAM性能。為實現此功能，Micron採用2n-prefetch架構，其中內部資料匯流排是外部資料匯流排大小的兩倍，因此每個時鐘週期內資料擷取可進行兩次。

按密度

Micron DDR SDRAM

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零件編號 Mfr 名稱 說明 規格書
MT46V32M16CY-5B IT:J Micron Technology DRAM DDR 512Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT MT46V32M16CY-5B IT:J 規格書
MT46V32M16P-5B IT:J Micron Technology DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT MT46V32M16P-5B IT:J 規格書
MT46V32M16CY-5B IT:J TR Micron Technology DRAM DDR 512M 32MX16 FBGA
MT46V32M16P-5B IT:J TR Micron Technology DRAM DDR 512M 32MX16 TSOP
MT46V32M16P-5B:J Micron Technology DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT MT46V32M16P-5B:J 規格書
MT46V64M8P-5B:J Micron Technology DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT MT46V64M8P-5B:J 規格書
MT46V16M16CY-5B IT:M TR Micron Technology DRAM DDR 256M 16MX16 FBGA
發佈日期: 2018-07-23 | 更新日期: 2025-12-15