Microchip Technology SST25WF040B/80B SPI序列快閃記憶體
Microchip Technology SST25WF040B/80B SPI序列快閃記憶體晶片採用四線SPI相容介面，可實現低引腳數封裝。這些序列快閃記憶體佔用的板空間極小，可降低系統總成本。SST25WF040B/80B序列快閃記憶體晶片採用高性能CMOS SuperFlash技術製造而成。這些序列快閃記憶體採用分離柵極設計及厚氧化層隧穿注入器，可實現更高的可靠性。
SST25WF040B/80B序列快閃記憶體在1.65V至1.95V的單電源電壓範圍內寫入（編程或擦除）。這些序列快閃記憶體利用SuperFlash技術，可在編程時消耗更低的電流並縮短擦除時間。此舉可減少在任何擦除或編程操作期間的總能量消耗。SST25WF040B/80B序列快閃記憶體採用8引腳SOIC及8觸點USOIN封裝。
特點
- 序列介面架構
- SPI相容：
- 模式0及模式3
- SPI相容：
- 雙I/O支持：
- 快速讀取雙輸出指令(3BH
- 快速讀取雙I/O指令(BBH)
- 寫入結束檢測：
- 軟體輪詢狀態寄存器中的忙位元
- 保持引腳(HOLD#)：
- 無需取消選擇設備，即可暫停序列順序
- 寫保護(WP#)：
- 啓用／禁用狀態寄存器的鎖定功能
- 軟體寫入保護：
- 通過狀態寄存器中的區塊保護位元進行寫入保護
- 採用以下封裝：
- 8引腳SOIC (150 mils)
- 8觸點USON (2mm x 3mm)
- 符合RoHS規定
規格
- 1.65V至1.95V單電壓讀寫操作
- 高速時鐘頻率為40MHz
- 出眾的可靠性：
- 100000cycles
- 資料保留超過20年
- 超低功耗：
- 4mA讀操作電流
- 待機電流：7µA
- 2μA掉電模式待機電流
- 靈活的擦除功能：
- 統一的4KB扇區
- 統一的64KB重疊塊
- 頁面程序模式：
- 256字節/頁面
- 快速擦除及頁面編程：
- 400ms晶片擦除時間
- 40ms扇區擦除時間
- 80ms塊擦除時間
- 0.8ms/256B頁面編程時間
- 工業溫度範圍：-40°C至85°C
- 擴展溫度範圍：-40°C至125°C
功能結構圖
發佈日期: 2019-01-23
| 更新日期: 2023-05-11