Microchip Technology 碳化矽(SiC) MOSFET
與傳統的矽(Si)功率MOSFET相比，Microsemi/Microchip碳化矽(SiC) MOSFET具有良好的動態及熱性能。這些MOSFET具有低電容、低閘極電荷、快速開關速度及良好的高雪崩耐受性。碳化矽MOSFET能夠在175°C的高結溫下穩定工作。這些MOSFET提供高效率及低開關損耗。這些碳化矽MOSFET無需任何續流二極體，可降低系統成本。典型應用包括智能電網輸配電、感應加熱及焊接、供電及配電。
特點
- 低電容及低閘極電荷
- 良好的動態及熱性能
- 快速開關速度
- 在175°C結溫下穩定工作
- 快速、可靠的體二極體
- 高雪崩耐受性
- 高效、低開關損耗
- 易於驅動
- 無需外部續流二極管
- 低系統成本
- 符合AEC-Q101標準
應用
- 驅動系統
- 汽車
- 商用航空
- 整合式車輛系統
- 醫療顯像
- 集成車輛系統
- 光伏解決方案
- 動力傳動系統及電動汽車充電
- 遺產安全產品
- 無人航空載具(UAV)
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發佈日期: 2019-06-03
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