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Kioxia THGBM e-MMC™管理型NAND快閃記憶體

KIOXIA THGBM e-MMC™管理型NAND快閃記憶體為先進的高效裝置，具有整合控制器、強化記憶體管理，以及4 GB至128 GB的密度選項。其整合式記憶體管理功能包含錯誤修正、損耗平均和損壞磁區管理。這些THGBM產品為2D NAND，而THGAM產品則是3D NAND。

THGBM e-MMC快閃記憶體裝置符合JEDEC 5.0 (4 GB) 和5.1版，為需要更高資料傳輸速度和容量的應用提供合適的解決方案。THGBM具有高讀/寫效能，係透過運用HS400高速介面標準實現。THGBM e-MMC裝置也完全符合Multimedia Card Association (MMCA) 的高速記憶體介面標準。

THGBM e-MMC快閃記憶體裝置提供標準（-25°C至+85°C）和延伸（-40°C至+105°C）兩種溫度版本，並採用小巧的FBGA封裝。THGBM e-MMC NAND快閃記憶體裝置採用15奈米技術，尺寸僅11.5 mm x 13.0 mm x 1.0 mm，非常適合工業、消費性裝置、多媒體、智慧電錶和智慧照明等應用。

特點

  • KIOXIA控制器
  • 平行介面
  • 易於採用SoC
  • 4GB至128GB記憶體
  • BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體16 GB以上
  • 符合JEDEC 5.0和5.1版
  • 採用高品質NAND記憶體和最佳化控制器的可靠儲存解決方案
  • 11.5 mm x 13 mm、153球BGA封裝（另有4 GB，尺寸為11 mm x 10 mm）
  • 15nm，MLC技術
  • 最大資料傳輸速率：400 MB/s
  • 整合式記憶體管理
    • 錯誤校正碼
    • 損壞磁區管理
    • 耗損平均
    • 垃圾收集
  • 溫度版本
    • 標準（-25°C至+85°C），提供4 GB至128 GB
    • 延伸（-40°C至+105°C），提供8 GB至64 GB

應用

  • 智慧型手機
  • AR/VR
  • 平板電腦、二合一
  • 汽車
  • 串流媒體
  • 智慧音箱

其他資源

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零件編號 存儲容量 最低工作溫度 最高工作溫度
THGBMJG6C1LBAU7 8 GB - 40 C + 105 C
THGBMJG8C4LBAU8 32 GB - 40 C + 105 C
發佈日期: 2016-08-12 | 更新日期: 2024-04-22