IXYS IX4351NE 9A低側SiC MOSFET及IGBT驅動器
IXYS Integrated Circuits IX4351NE低側SiC MOSFET及IGBT驅動器具有獨立的9A源端及接收端輸出，可實現自定義開關時間，同時最大限度降低開關損耗。IX4351NE設有內部負電荷穩壓器，可提供可選的負閘極驅動偏置，以提高dV/dt抗擾度並實現更快關斷。
去飽及檢測電路透過檢測碳化矽MOSFET的過電流狀況並啟動軟關斷來阻止潛在的dV/dt破壞事件。邏輯輸入是TTL及CMOS相容型；即使在負閘極驅動偏位電壓情況下，該輸入也無需進行電平移位。保護特點包括電壓過低鎖定及熱關機檢測。
IX4351NE採用散熱增強型16引腳功率SOIC封裝，且額定操作溫度範圍為-40℃至125℃。
特點
- 獨立的9A源端及接收端峰值輸出
- 操作電壓範圍：-10V至+25V
- 內部負電荷泵穩壓器，適用於可選的負閘極驅動偏置
- 去飽檢測，帶有軟關機接收端驅動器
- TTL及CMOS相容輸入
- 電壓過低鎖定(UVLO)
- 熱關機
- 開漏故障輸出
應用
- 驅動碳化矽MOSFET及IGBT
- 車載充電器及直流充電站
- 工業逆變器
- 功率因素校正、AC/DC及DC/DC轉換器
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結構圖
典型應用電路
發佈日期: 2019-11-20
| 更新日期: 2023-12-12