ISSI IS25WP512M和IS25LP512M序列NOR快閃記憶體
ISSI IS25WP512M和IS25LP512M序列NOR快閃記憶體為多功能的儲存解決方案,具備高彈性和高效能,並採用簡化腳位數的封裝。本裝置適合空間有限、腳位數少和低耗電量的系統。裝置需透過4線SPI介面存取,內含序列資料輸入 (SI)、序列資料輸出 (SO)、序列時脈 (SCK) 和晶片啟動 (CE#) 腳位,這些腳位也可設定作為多重I/O。裝置支援雙通道和四通道I/O,以及標準、雙輸出和四輸出SPI。時脈頻率最高達133 MHz,對等時脈速率高達532 MHz (133 MHz x 4),等於每秒66.5 Mbyte的資料傳輸量。記憶體陣列以256/512位元組的可編程頁面排列。特點
- 工業標準序列介面
- IS25LP512M:512Mbit/64Mbyte
- IS25WP512M:512Mbit/64Mbyte
- 3或4位元組定址模式
- 支援標準SPI、快速、雙通道、雙I/O、四通道、四I/O、SPI DTR、雙I/O DTR、四I/O DTR和QPI
- 軟體與硬體重設
- 支援序列快閃記憶體可發現參數 (SFDP)
- 高效能序列快閃記憶體 (SPI)
- 80MHz標準讀取
- 最高133 MHz快速讀取
- 最高80 MHz DTR(雙倍資料傳輸率)
- 532Mb/s的等效吞吐量
- 可選空指令週期
- 設定資料驅動強度
- 支援SPI模式0和3
- 10萬次以上的抹寫循環
- 資料可保存20年以上
- 彈性且高效的記憶體架構
- 一致的晶片抹除:磁區/區段抹除(4/32/64 KB或4/32/256 KB)
- 每分頁可編程1至256或512位元組
- 程式/抹除、暫停與恢復
- 有效的讀取和編程模式
- 低指令過載作業
- 連續讀取8/16/32/64位元組突衝
- 可選擇突發長度
- 可減少指令過載的QPI
- AutoBoot操作
- 資料學習模式,可在DTR作業下學習
- 低功耗,寬溫度範圍
- 單一電壓供應:IS25LP為2.30V至3.60V,IS25WP為1.65V至1.95V
- 7 mA有功讀取電流
- 10µA 待機電流
- 1µA深度休眠電流
- 溫度等級:
- 寬廣的溫度範圍:-40°C至+105°C
- 汽車級 (A3)溫度範圍:-40°C至+125°C
- 進階安全保護
- 軟體與硬體寫入保護
- 進階磁區/區塊保護
- 上/下區塊保護
- 電源供應器鎖定保護
- 4x256位元組專屬安全區,含OTP使用者可鎖定位元
- 每裝置128位元唯一ID(原廠設定)
應用
- 儀表板
- 資訊娛樂主控台
- 遠距離通訊
- 安全系統 (ADAS)
- 智慧型電視數位機上盒
- HDD
- 印表機
- 遊戲
- 工業控制
- 醫療裝置
- 軍事與航太
- 無線存取點
- 4G LTE基地台
- 路由器和交換器
- 家用網路
- 能源智慧電網管理
方塊圖
發佈日期: 2018-12-14
| 更新日期: 2026-02-02
