ISSI IS25WP512M和IS25LP512M序列NOR快閃記憶體

ISSI IS25WP512M和IS25LP512M序列NOR快閃記憶體為多功能的儲存解決方案,具備高彈性和高效能,並採用簡化腳位數的封裝。本裝置適合空間有限、腳位數少和低耗電量的系統。裝置需透過4線SPI介面存取,內含序列資料輸入 (SI)、序列資料輸出 (SO)、序列時脈 (SCK) 和晶片啟動 (CE#) 腳位,這些腳位也可設定作為多重I/O。裝置支援雙通道和四通道I/O,以及標準、雙輸出和四輸出SPI。時脈頻率最高達133 MHz,對等時脈速率高達532 MHz (133 MHz x 4),等於每秒66.5 Mbyte的資料傳輸量。記憶體陣列以256/512位元組的可編程頁面排列。

特點

  • 工業標準序列介面
    • IS25LP512M:512Mbit/64Mbyte
    • IS25WP512M:512Mbit/64Mbyte
    • 3或4位元組定址模式
    • 支援標準SPI、快速、雙通道、雙I/O、四通道、四I/O、SPI DTR、雙I/O DTR、四I/O DTR和QPI
    • 軟體與硬體重設
    • 支援序列快閃記憶體可發現參數 (SFDP)
  • 高效能序列快閃記憶體 (SPI)
    • 80MHz標準讀取
    • 最高133 MHz快速讀取
    • 最高80 MHz DTR(雙倍資料傳輸率)
    • 532Mb/s的等效吞吐量
    • 可選空指令週期
    • 設定資料驅動強度
    • 支援SPI模式0和3
    • 10萬次以上的抹寫循環
    • 資料可保存20年以上
  • 彈性且高效的記憶體架構
    • 一致的晶片抹除:磁區/區段抹除(4/32/64 KB或4/32/256 KB)
    • 每分頁可編程1至256或512位元組
    • 程式/抹除、暫停與恢復
  • 有效的讀取和編程模式
    • 低指令過載作業
    • 連續讀取8/16/32/64位元組突衝
    • 可選擇突發長度
    • 可減少指令過載的QPI
    • AutoBoot操作
    • 資料學習模式,可在DTR作業下學習
  • 低功耗,寬溫度範圍
    • 單一電壓供應:IS25LP為2.30V至3.60V,IS25WP為1.65V至1.95V
    • 7 mA有功讀取電流
    • 10µA 待機電流
    • 1µA深度休眠電流
    • 溫度等級:
      • 寬廣的溫度範圍:-40°C至+105°C
      • 汽車級 (A3)溫度範圍:-40°C至+125°C
  • 進階安全保護
    • 軟體與硬體寫入保護
    • 進階磁區/區塊保護
    • 上/下區塊保護
    • 電源供應器鎖定保護
    • 4x256位元組專屬安全區,含OTP使用者可鎖定位元
    • 每裝置128位元唯一ID(原廠設定) 

應用

  • 儀表板
  • 資訊娛樂主控台
  • 遠距離通訊
  • 安全系統 (ADAS)
  • 智慧型電視數位機上盒
  • HDD
  • 印表機
  • 遊戲
  • 工業控制
  • 醫療裝置
  • 軍事與航太
  • 無線存取點
  • 4G LTE基地台
  • 路由器和交換器
  • 家用網路
  • 能源智慧電網管理

方塊圖

結構圖 - ISSI IS25WP512M和IS25LP512M序列NOR快閃記憶體
發佈日期: 2018-12-14 | 更新日期: 2026-02-02