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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V汽車功率MOSFET

英飛凌OptiMOS™ 7 80V汽車功率MOSFET採用英飛凌的領先功率半導體技術製造。這些MOSFET專為嚴苛的汽車應用需求而設計，能滿足其對高性能、高品質及高可靠性的需求。OptiMOS™ 7 80V MOSFET在±20VGS閘極源極電壓和-55°C至175°C的溫度範圍內運作。這些MOSFET採用頂部冷卻SSO10T 5x7mm2 SMD封裝。SSO10T封裝可幫助用戶在散熱和功率密度方面取得進展。80V功率MOSFET符合MSL-1等級規範，符合RoHS規定，並通過100%的雪崩測試，非常適合用於一般汽車應用。

特點

  • 直接散熱通道至ECU外殼
  • 幾乎沒有熱量流入PCB
  • 業界最大的暴露焊盤面積
  • 可自由在封裝下佈線
  • 可將零件安裝在PCB背面
  • 領先的導通電阻RDS(on)
  • 快速開關時間（開/關）
  • 窄門檻電壓VGS(th) 範圍
  • 超越AEC-Q101的擴展資格
  • 增強的電氣測試
  • 封裝已通過聯合電子裝置工程協會認證
  • 可實現出色的熱管理
  • 改善20%至50%的阻抗
  • 改善20%至50%的熱阻
  • 有助於減少ECU體積或PCB面積
  • 有助於降低PCB成本（面積、銅和通孔）
  • 減少PCB和系統設計工作量
  • 有助於實現最高的功率密度
  • 減少導通損耗
  • 優越的開關性能
  • 非常適合並聯放置
  • 汽車產業的品質與穩定性
  • 第二供應商的潛力

應用

  • 汽車：
    • 48V電動助力轉向 (EPS)
    • LED前照燈
    • DC-AC逆變器

尺寸

機械製圖 - Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V汽車功率MOSFET

OptiMOS™ 7汽車功率MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Offer high power density, low conduction losses, and optimized switching behavior.

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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Implements Power MOSFET technology with 40V innovative, leadless, robust power packages.

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零件編號 規格書 下降時間 Id - C連續漏極電流 封裝/外殼 Pd - 功率消耗 Qg - 閘極充電 Rds On - 漏-源電阻 上升時間 Vds - 漏-源擊穿電壓 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓
IAUZN08S7N046ATMA1 IAUZN08S7N046ATMA1 規格書 7 ns 99 A PG-TDSON-8 94 W 27.2 nC 4.6 mOhms 3.7 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 規格書 25 ns 210 A PG-TDSON-8 169 W 79.9 nC 1.8 mOhms 11 ns 80 V 20 V 2 V
IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1 規格書 20 ns 177 A PG-TDSON-8 148 W 65.2 nC 2.4 mOhms 9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN10S7L040ATMA1 IAUCN10S7L040ATMA1 規格書 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 100 V 16 V 2 V
IAUZN10S7N078ATMA1 IAUZN10S7N078ATMA1 規格書 5 ns 76 A PG-TDSON-8 94 W 22.2 nC 7.8 mOhms 3.6 ns 100 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 規格書 35 ns 293 A PG-TDSON-8 219 W 120 nC 1.26 mOhms 14 ns 80 V 20 V 2 V
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 規格書 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN08S7N016TATMA1 IAUCN08S7N016TATMA1 規格書 20 ns 262 A PG-LHDSO-10-3 205 W 83 nC 1.63 mOhms 18 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 規格書 17 ns 223 A PG-LHDSO-10-2 180 W 68 nC 1.94 mOhms 16 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 規格書 16 ns 186 A PG-LHDSO-10-1 157 W 54 nC 2.44 mOhms 16 ns 80 V 20 V 3.2 V
發佈日期: 2025-07-23 | 更新日期: 2025-08-19